產品詳情
簡單介紹：
半導體導電型號鑒彆儀SZT-3
STZ—3型半導體導電型號鑒彆儀是為了鑒彆矽單晶材料的導電類型 “P”和 “N”的測量儀器,是采用溫差效應和整流效應兩種方法相結合綜合性的測量導電型號儀器,測量範圍廣矽材料電阻率從10-2~104Ω•cm,儀器采用美國16位單片集成電路計算機為核心,利用數字采集濾波技術,並用 “P” “N”數碼直接顯示。
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詳情介紹：
半導體導電型號鑒彆儀SZT-3
STZ—3型半導體導電型號鑒彆儀是為了鑒彆矽單晶材料的導電類型 “P”和 “N”的測量儀器,是采用溫差效應和整流效應兩種方法相結合綜合性的測量導電型號儀器,測量範圍廣矽材料電阻率從10-2~104Ω•cm,儀器采用美國16位單片集成電路計算機為核心,利用數字采集濾波技術,並用 “P” “N”數碼直接顯示。采用了單片機技術可使測量的準確度和穩定性大幅度提高。儀器采用手持式四探然探頭，使用簡單，操作方便，且壽命長，適合半導體材料廠、器件廠和科研部門需要。用作太陽能多晶材料分選時,采用整流法,對<0.01Ω-cm的材料具有聲光報警功能,廣泛應用於太陽能電池生產的原材料篩選環節,快速高效。
主要技術指標：
1． 測量範圍：矽單晶材料電阻率10-2~104Ω•cm
2． 可測量材料：半導體矽棒和矽片，及矽碎顆粒。
可測半導體材料尺寸：Φ15~Φ150 mm以上。
3． 顯示方式：P、N 燈顯示。
4． 測試探頭：手持式 探針間距3 mm 探針Φ1mm 高速鋼
5． 電源：220V 50HZ 20W